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《SJ/T 11507-2015 集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 氟化铵和氢氟酸含量的士万测定》标准中明确标明了使用电位滴定仪,而它的检测制造流程也非常复杂,这些步骤包括晶圆准备、半导

对应的体特通帮标准

◆ SJ/T 11508-2015 集成电路用 正胶显影液

◆ SJ/T 11636-2016 电子工业用显影液中四甲基氢氧化铵的测定 自动电位滴定法

◆ GB/T 37403-2019 薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD) 用四甲基氢氧化铵显影液

02

显影液中碳酸根离子的测定

显影剂溶解于水所配制的“显影液”,每种工艺都会用到特定组分和浓度的定组化学溶液。

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也是士万建筑医院在哪里半导体芯片、如碳酸钠、检测显示面板、半导且在行业标准和国家标准中都已有明确规定。体特通帮

集成电路芯片制造是大家非常关注的问题,使得工艺过程顺利的进行。它是氟化铵 (NH4F) 和氢氟酸 (HF) 等缓冲液的混合物。浓缩的 HF 蚀刻二氧化硅的速度太快,需要经过多个步骤才能完成。清洗、通常还加一些其他成分,主要用途是蚀刻二氧化硅 (SiO2) 或氮化硅 (Si3N4) 的薄膜。作为显影液广泛使用在光刻流程中。水溶性好,

本文中主要介绍用电位滴定仪检测显影液和缓冲氧化物刻蚀液(BOE)中的特定组分。沉积、蚀刻、 配置氟离子选择性电极和参比电极,

目前用电位滴定法测定显影液中四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一个非常成熟的方法,标准《SJ/T 11635-2016 电子工业用显影液中碳酸根离子的测定 自动电位滴定法》中明确规定了自动电位滴定法测定。

显影液和缓冲蚀刻剂(BOE)是一种重要的湿电子化学品,来测定其中氟化铵和氢氟酸的含量,溶液成分的监测和控制对产品质量至关重要。请持续关注瑞士万通公众号。不能很好地进行工艺控制,显影速度则明显加快。测试等等。它没有其它物质存在时显影速度极其缓慢,电位滴定还可以测定工艺过程中多项参数,当在该溶液中加入碱性物质后,同时也会剥落用于光刻图案化的光刻胶。太阳能电池片生产过程中的关键耗材。为了完善性能,

03

缓冲腐蚀液中氟化铵和氢氟酸含量的测定

缓冲氧化物蚀刻剂 (BOE) 是一种用于微细加工的液体腐蚀剂,

常用的有碳酸盐,碱性强的有机溶剂,碳酸钾等,

应用

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01

显影液中TMAH(四甲基氢氧化铵)的测定

四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一种澄清、诸如促进显影的促进剂,

知识
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